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RJP30H1DPD
厂商型号

RJP30H1DPD

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

157.56 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:40:00

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RJP30H1DPD规格书详情

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

* Low leak current: ICES= 1 A max.

产品属性

  • 型号:

    RJP30H1DPD

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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