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厂商型号

RJP30E3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

197.26 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 14:07:00

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RJP30E3DPP-M0规格书详情

特性 Features

• Trench gate technology (G5H series)

• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ

• High speed switching tf = 150 ns typ

• Low leak current ICES = 1 μA max

• Isolated package TO-220FL

产品属性

  • 型号:

    RJP30E3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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