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RJH30H2DPK-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

RJH30H2DPK-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.09 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 22:59:00

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RJH30H2DPK-M0规格书详情

特性 Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ

● High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ

● Low leak current: ICES = 1 A max

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ , trr = 23 ns typ

产品属性

  • 型号:

    RJH30H2DPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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