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RJH30H1DPP-M0中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

RJH30H1DPP-M0
厂商型号

RJH30H1DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.32 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 20:00:00

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RJH30H1DPP-M0规格书详情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

产品属性

  • 型号:

    RJH30H1DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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