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RJH1CV7DPQ-E0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RJH1CV7DPQ-E0
厂商型号

RJH1CV7DPQ-E0

参数属性

RJH1CV7DPQ-E0 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH 1200V 70A TO247

功能描述

1200V - 35A - IGBT Application: Inverter

封装外壳

TO-247-3

文件大小

59.27 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:12:00

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产品属性

  • 产品编号:

    RJH1CV7DPQ-E0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    3.2mJ(开),2.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/185ns

  • 测试条件:

    600V,35A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT TRENCH 1200V 70A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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