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RJH30H1DPP-M0	文件：158.32 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP30H1DPP-M0	文件：157.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1Amax. ●IsolatedpackageTO-220FL	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJH30H1DPP-M0

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Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.

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RJP30H1DPP-M0

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SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

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详细参数

型号：
RJH30H1DPP-M0
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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更多RJH30H1DPP-M0供应商更新时间2025-5-23 11:01:00

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