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RJH60D2DPP-M0	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60D2DPP-M0-T2	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa 文件：171.49 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_10	文件：88.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_15	文件：108.44 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter 文件：108.44 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPP-M0#T2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-220FL
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
50
IC (A) @25 °C：
25
IC (A) @100 °C：
12
VCE (sat)(V)：
1.7
tf (µs) 典型值：
0.08
tsc (µs)：
3
FRD Vf (V)：
1.2
FRD trr (ns)：
100
Pch (W)：
34
应用：
Inverter
安装类型：
Through Hole

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更多RJH60D2DPP-M0供应商更新时间2025-11-22 9:12:00

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