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SiliconNChannelIGBTcation:Inverter SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features Shortcircuitwithstandtime(5µstyp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.7Vtyp.(atIC=12A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage Trenchgateandthinwa | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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