首页>RJH60D2DPP-M0>规格书详情
RJH60D2DPP-M0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D2DPP-M0 |
| 参数属性 | RJH60D2DPP-M0 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT cation: Inverter |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
171.49 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 11:29:00 |
| 人工找货 | RJH60D2DPP-M0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60D2DPP-M0规格书详情
Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
特性 Features
Short circuit withstand time (5µs typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf= 80 ns typ. (at VCC= 300 V, VGE= 15 V, IC= 12 A, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60D2DPP-M0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，12A
- 开关能量：
100µJ（开），160µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
32ns/85ns
- 测试条件：
300V，12A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FL
- 描述：
IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
/ROHS.original |
TO220 |
15120 |
集成电路供应 -正纳电子/ 原材料及元器件IC MOS MCU |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
RENESAS |
14+ |
TO263 |
116 |
原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
TO263 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO220FL |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA |
43250 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Renesas |
20+ |
N/A |
78 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Renesas |
21+ |
QFN |
5623 |
全新原装鄙视假货 |
询价 |
