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RJH60D2DPP-M0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D2DPP-M0 |
| 参数属性 | RJH60D2DPP-M0 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT cation: Inverter |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
171.49 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | RJH60D2DPP-M0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60D2DPP-M0规格书详情
Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
特性 Features
Short circuit withstand time (5µs typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf= 80 ns typ. (at VCC= 300 V, VGE= 15 V, IC= 12 A, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60D2DPP-M0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，12A
- 开关能量：
100µJ（开），160µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
32ns/85ns
- 测试条件：
300V，12A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FL
- 描述：
IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
1932+ |
TO-263 |
471 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
TO263 |
8850 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA |
43250 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO220FL |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-220FL |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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Renesas Electronics America In |
25+ |
TO-220-3 整包 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
Renesas |
21+ |
QFN |
5623 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
