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RJH60D1DPP-M0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D1DPP-M0 |
| 参数属性 | RJH60D1DPP-M0 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT Application: Inverter |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
171.44 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 18:41:00 |
| 人工找货 | RJH60D1DPP-M0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60D1DPP-M0规格书详情
Features
● Short circuit withstand time (5 s typ.)
● Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
● Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package
● Trench gate and thin wafer technology
● High speed switching
tf = 75 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 10 A, Rg = 5 , inductive load)
Application: Inverter
产品属性
- 产品编号：
RJH60D1DPP-M0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，10A
- 开关能量：
100µJ（开），130µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/42ns
- 测试条件：
300V，10A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FL
- 描述：
IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS丨全系列供应 |
23+ |
RENESAS丨全系列供应 |
5800 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO220 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
Renesas |
21+ |
121 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | |||
Renesa |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA |
43250 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO220FL |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-220FL |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
TO-220FL |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
询价 |
