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RJH60D0DPM分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D0DPM |
| 参数属性 | RJH60D0DPM 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 45A 40W TO3PFM |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT Application: Inverter |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
89.45 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-27 11:46:00 |
| 人工找货 | RJH60D0DPM价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60D0DPM规格书详情
Features
• Short circuit withstand time (5 μs typ.)
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 70 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 22 A, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60D0DPM-00#T1
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，22A
- 开关能量：
230µJ（开），290µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/80ns
- 测试条件：
300V，22A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3PFM
- 描述：
IGBT 600V 45A 40W TO3PFM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESA |
2048+ |
TO-220F |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
17138 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3PF-3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
48000 |
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询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-3PFM |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3PFM |
6000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
瑞萨 |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO3PFM |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Renesas |
20+ |
N/A |
380 |
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