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RJH60D0DPM

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

文件:89.45 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D0DPM_15

600V - 22A - IGBT Application: Inverter

文件:106.24 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D0DPM

IGBTs

Renesas

瑞萨

RJH60D0DPM-00#T1

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 45A 40W TO3PFM

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 可下载:

    SPICE

  • 封装类型:

    TO-3PFM

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • 逆变器:

    YES

  • PFC:

    YES

  • VCES (V):

    600

  • Ic (峰值) (A):

    90

  • IC (A) @25 °C:

    45

  • IC (A) @100 °C:

    22

  • VCE (sat)(V):

    1.6

  • tf (µs) 典型值:

    0.07

  • tsc (µs):

    3

  • FRD Vf (V):

    1.4

  • FRD trr (ns):

    100

  • Pch (W):

    40

  • 应用:

    Inverter

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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TO-3PF-3
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TO-3PFM
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更多RJH60D0DPM供应商 更新时间2025-10-12 11:10:00