RJH60D2DPE-00-J3中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	RJH60D2DPE-00-J3
功能描述	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
文件大小	170 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 9:32:00
人工找货	RJH60D2DPE-00-J3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Short circuit withstand time (5 μs typ.)

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tf = 80 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 12 A, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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