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RJH60D2DPE-00-J3	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60D2DPE-00-J3供应商更新时间2025-10-13 14:01:00