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RJH60D2DPE分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RJH60D2DPE
厂商型号

RJH60D2DPE

参数属性

RJH60D2DPE 封装/外壳为SC-83;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 25A 63W LDPAK

功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

封装外壳

SC-83

文件大小

170 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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RJH60D2DPE规格书详情

特性 Features

• Short circuit withstand time (5 μs typ.)

• Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching

tf = 80 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 12 A, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

产品属性

  • 产品编号:

    RJH60D2DPE-00#J3

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    100µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/85ns

  • 测试条件:

    300V,12A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-83

  • 供应商器件封装:

    LDPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 25A 63W LDPAK

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