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RJH60D2DPE	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE-00-J3	文件：170 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：170 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE_10	文件：88.78 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.78 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE_15	文件：107.82 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter 文件：107.82 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D2DPE	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60D2DPE-00#J3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-83；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 25A 63W LDPAK	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
LDPAK(S)
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
50
IC (A) @25 °C：
25
IC (A) @100 °C：
12
VCE (sat)(V)：
1.7
tf (µs) 典型值：
0.08
tsc (µs)：
3
FRD Vf (V)：
1.2
FRD trr (ns)：
100
Pch (W)：
63
应用：
Inverter
安装类型：
Surface Mount

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJH60D2DPE供应商更新时间2025-12-24 15:27:00

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