RJH60D2DPP-M0#T2_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-Renesas Electronics America Inc

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  • 厂家型号:

    RJH60D2DPP-M0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单

  • 封装外壳:

    TO-220-3 整包

  • 包装:

    管件

  • 安装类型:

    通孔

  • 更新时间:

    2025-8-3 15:53:00

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原厂料号:RJH60D2DPP-M0#T2品牌:Renesas Electronics America Inc

资料说明:IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL

RJH60D2DPP-M0#T2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装TO-220-3 整包的RJH60D2DPP-M0#T2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    rjh60d2dpp-m0%23t2

  • 规格书:

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  • 资料说明:

    IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RJH60D2DPP-M0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    100µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/85ns

  • 测试条件:

    300V,12A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FL

  • 描述:

    IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL

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