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RJH60D7DPK

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

文件:86.11 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D7DPK_10

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

文件:88.96 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D7DPK_15

600V - 50A - IGBT Application: Inverter

文件:107.57 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D7DPK-00-T0

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

文件:86.11 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH60D7DPK

IGBTs

Renesas

瑞萨

RJH60D7DPK-00#T0

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 90A 300W TO3P

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 可下载:

    SPICE

  • 封装类型:

    TO-3P

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • 逆变器:

    YES

  • PFC:

    YES

  • VCES (V):

    600

  • Ic (峰值) (A):

    200

  • IC (A) @25 °C:

    90

  • IC (A) @100 °C:

    50

  • VCE (sat)(V):

    1.6

  • tf (µs) 典型值:

    0.05

  • tsc (µs):

    3

  • FRD Vf (V):

    1.4

  • FRD trr (ns):

    100

  • Pch (W):

    300

  • 应用:

    Inverter

  • 安装类型:

    Through Hole

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多RJH60D7DPK供应商 更新时间2026-2-10 11:01:00