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RJH30E2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

RJH30E2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

文件大小

158.32 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 15:01:00

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RJH30E2规格书详情

特性 Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

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