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RJH60F3DPQ-A0

600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching

Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=92nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F3DPQ-A0

IGBTs;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F3DPQ-A0_15

600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F3DPQ-A0#T0

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

Renesas Electronics America Inc

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技术参数

  • 可下载:

    SPICE

  • 封装类型:

    TO-247A

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • 逆变器:

    YES

  • PFC:

    YES

  • IH:

    YES

  • VCES (V):

    600

  • Ic (峰值) (A):

    80

  • IC (A) @25 °C:

    40

  • IC (A) @100 °C:

    20

  • VCE (sat)(V):

    1.4

  • tf (µs) 典型值:

    0.092

  • FRD Vf (V):

    1.2

  • FRD trr (ns):

    90

  • Pch (W):

    178.5

  • 应用:

    IH Cooker/PFC

  • 安装类型:

    Through Hole

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更多RJH60F3DPQ-A0供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00