首页 >RJH60F3DPQ-A0%23T0>规格书列表
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600V-20A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=92nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω, | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
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