RJH60F3DPQ-A0#T0_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-Renesas Electronics America Inc

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厂家型号：
RJH60F3DPQ-A0#T0
制造商：
Renesas Electronics America Inc
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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原厂料号：RJH60F3DPQ-A0#T0品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

RJH60F3DPQ-A0#T0是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Renesas Electronics America Inc生产封装TO-247-3的RJH60F3DPQ-A0#T0晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
rjh60f3dpq-a0%23t0
规格书：
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资料说明：
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

产品属性

类型
描述
产品编号：
RJH60F3DPQ-A0#T0
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，20A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
44ns/65ns
测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247A
描述：
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A

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