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RJH60F3DPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RJH60F3DPQ-A0 |
参数属性 | RJH60F3DPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A |
功能描述 | 600 V - 20 A - IGBT High Speed Power Switching |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
94.94 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 16:27:00 |
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RJH60F3DPQ-A0规格书详情
特性 Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 92 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号:
RJH60F3DPQ-A0#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.82V @ 15V,20A
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
44ns/65ns
- 测试条件:
400V,30A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247A
- 描述:
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
TO-3P |
50000 |
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询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
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TO-3P |
860000 |
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22+ |
TO-3P |
18000 |
原装正品 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
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Renesas Electronics America |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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TO-247 |
6896 |
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询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO247A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |