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RJH60D7DPM分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RJH60D7DPM
厂商型号

RJH60D7DPM

参数属性

RJH60D7DPM 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 90A 55W TO3PFM

功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter
IGBT 600V 90A 55W TO3PFM

文件大小

90.1 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-21 11:10:00

RJH60D7DPM规格书详情

RJH60D7DPM属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。瑞萨科技有限公司制造生产的RJH60D7DPM晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    RJH60D7DPM-00#T1

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.1mJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/190ns

  • 测试条件:

    300V,50A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PFM

  • 描述:

    IGBT 600V 90A 55W TO3PFM

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