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RJH60D5DPM	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
RJH60D5DPM	文件：88.52 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D5DPM_15	文件：107.68 Kbytes Page：10 Pages	600V - 37A - IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D5DPM-00#T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 45W TO3PFM	ETC	ETC
RU60D5H	文件：258.04 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
STB60D5	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB60D5	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D5	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D5	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3PFM
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
150
IC (A) @25 °C：
75
IC (A) @100 °C：
37
VCE (sat)(V)：
1.6
tf (µs) 典型值：
0.04
tsc (µs)：
3
FRD Vf (V)：
1.4
FRD trr (ns)：
100
Pch (W)：
45
应用：
Inverter
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJH60D5DPM供应商更新时间2025-7-29 16:06:00

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