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RJH60D0DPK	文件：171.47 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：171.47 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D0DPK	文件：300.1 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.2V@IC=22A · High Current Capability · High Input Impedance APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC 文件：300.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJH60D0DPK-00-T0	文件：171.47 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：171.47 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D0DPK_10	文件：88.45 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter 文件：88.45 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D0DPK_15	文件：106.4 Kbytes Page：10 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter 文件：106.4 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60D0DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJH60D0DPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A 140W TO3P	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
TO-3P
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
逆变器：
YES
PFC：
YES
VCES (V)：
600
Ic (峰值) (A)：
90
IC (A) @25 °C：
45
IC (A) @100 °C：
22
VCE (sat)(V)：
1.6
tf (µs) 典型值：
0.07
tsc (µs)：
3
FRD Vf (V)：
1.4
FRD trr (ns)：
100
Pch (W)：
140
应用：
Inverter
安装类型：
Through Hole

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更多RJH60D0DPK供应商更新时间2025-10-10 17:02:00

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