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RJH60F3DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(IC=20A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching tf=92nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F3DPK_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F3DPK-00#T0

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

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OT60F3

DisconnectswitchesNon-fusibleFusible

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

详细参数

  • 型号:

    RJH60F3DPK

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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更多RJH60F3DPK供应商 更新时间2025-5-23 16:26:00