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RJH60F3DPK分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60F3DPK |
| 参数属性 | RJH60F3DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P |
| 功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
94.23 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 16:27:00 |
| 人工找货 | RJH60F3DPK价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RJH60F3DPK规格书详情
特性 Features
● Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
● Built in fast recovery diode in one package
● Trench gate and thin wafer technology
● High speed switching
tf = 92 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
产品属性
- 产品编号：
RJH60F3DPK-00#T0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.82V @ 15V，20A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
TO-3P |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-247 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247A |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-3P |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
TO-247 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
TO3P |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO-247 |
1062 |
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询价 | ||
NORDI |
24+ |
QFN20 |
10000 |
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