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RJH60F0DPK-00-T0	文件：166.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 文件：166.8 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJH60F0DPK-00-T0	文件：92.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 文件：92.31 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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