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RJH60D0DPQ-A0	文件：91.21 Kbytes Page：8 Pages	600 V - 22 A - IGBT Application: Inverter Features • Short circuit withstand time (5 s typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 文件：91.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJH60D0DPQ-A0供应商更新时间2025-9-30 15:49:00