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IRG4IBC30FDPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

INFINEON

英飞凌

IRG4IBC30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:195.54 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

文件:347.66 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4IBC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

文件:339.04 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30FDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    630µJ(开),1.39mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    42ns/230ns

  • 测试条件:

    480V,17A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
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TO-220F
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更多IRG4IBC30FDPBF供应商 更新时间2026-2-1 16:30:00