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IRG4PC40S	文件：143 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) Standard Speed IGBT Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：143 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40S	文件：902 Kbytes Page：3 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：902 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IRG4PC40SD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF	文件：636.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：636.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF	文件：627.83 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT 文件：627.83 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40SPBF_15	文件：636.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：636.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz（标准）分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC40SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 160W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
31.0A
IC(@25°) max：
60.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
1.32V
Eon ：
0.45mJ
Eoff(Hard Switching) ：
6.5mJ
td(on) ：
23.0ns
tr ：
21.0ns
td(off) ：
1000.0ns
tf ：
940.0ns
QGate ：
100.0nC
Ets (max)：
6.95mJ (9.9mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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