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IRG4PC50S	文件：164.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.28V @VGE = 15V, IC = 41A Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：164.62 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SDPBF	文件：385.89 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Standardd Speed CoPack IGBT 文件：385.89 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50S-P	文件：151.16 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequen 文件：151.16 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：982.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.28V @VGE = 15V, IC = 41A Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：982.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：983.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50SPBF_15	文件：983.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：983.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz（标准）分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC50SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC50SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
41.0A
IC(@25°) max：
70.0A
ICpuls max：
140.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
1.28V
Eon ：
0.72mJ
Eoff(Hard Switching) ：
8.27mJ
td(on) ：
31.0ns
tr ：
31.0ns
td(off) ：
1080.0ns
tf ：
620.0ns
QGate ：
180.0nC
Ets (max)：
8.99mJ (13.0mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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