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IRG4PC30K	文件：121.58 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher effi 文件：121.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KD	文件：178.84 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous gen 文件：178.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KDPBF	文件：345.26 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged 文件：345.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KPBF	文件：252.19 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previo 文件：252.19 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KDPBF	文件：346.22 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：346.22 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KDPBF_15	文件：346.22 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：346.22 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KPBF	文件：261.149 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：261.149 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KPBF_15	文件：261.149 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：261.149 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30K	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PC30K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，16A
开关能量：
360µJ（开），510µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/130ns
测试条件：
480V，16A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 28A 100W TO247AC

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