IRG4PC30KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号	IRG4PC30KD
参数属性	IRG4PC30KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 28A 100W TO247AC
功能描述	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
封装外壳	TO-247-3
文件大小	178.84 Kbytes
页面数量	10 页
生产厂商	IRF
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-8 16:36:00
人工找货	IRG4PC30KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2 products

• For hints see design tip 97003

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