IRG4PC30F分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PC30F |
| 参数属性 | IRG4PC30F 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 31A 100W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
145 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 17:12:00 |
| 人工找货 | IRG4PC30F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PC30F规格书详情
Fast Speed IGBT
特性 Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4PC30FPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 开关能量：
230µJ（开），1.18mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/200ns
- 测试条件：
480V，17A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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