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IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT

UltraFast Speed IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

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IRF

IRG4PC30UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4PC30UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PC30UPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 23A 100W TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PC30UPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    160µJ(开),200µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/78ns

  • 测试条件:

    480V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 23A 100W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多IRG4PC30UPBF供应商 更新时间2025-12-12 14:39:00