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IRG4PC60F	文件：118.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Industry standard TO-247AC package. Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest effic 文件：118.87 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60F-P	文件：119.62 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Solder plated version of industry standard TO-247AC package. Benefits • Generation 4 文件：119.62 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60FPBF	文件：236.18 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Industry standard TO-247AC package. • Lead-Free Benefits • Generation 4 IGBTs offer 文件：236.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60F-PPBF	文件：231.59 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Solder plated version of industry standard TO-247AC package. • Lead-Free Benefits • 文件：231.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60FPBF	文件：278.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：278.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60FPBF_15	文件：278.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：278.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC60F-PPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC60FPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 90A 520W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
60.0A
IC(@25°) max：
90.0A
ICpuls max：
360.0A
Ptot max：
520.0W
VCE(sat) ：
1.5V
Eon ：
0.3mJ
Eoff(Hard Switching) ：
4.6mJ
td(on) ：
39.0ns
tr ：
66.0ns
td(off) ：
470.0ns
tf ：
300.0ns
QGate ：
310.0nC
Ets (max)：
4.9mJ (6.3mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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