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IRG4PC40U	文件：148.01 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz 文件：148.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD	文件：245.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) UltraFast CoPack IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult 文件：245.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD-EPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08846 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08846 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UPBF	文件：633.02 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz 文件：633.02 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC40U
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，20A
开关能量：
320µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
34ns/110ns
测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 40A 160W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4PC40U供应商更新时间2025-10-10 15:54:00

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