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IRG4PC40U	文件：148.01 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40U	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 160W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PC40UD	文件：245.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ult	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UD-EPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08846 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UPBF	文件：633.02 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC40UD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC40U
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，20A
开关能量：
320µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
34ns/110ns
测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 40A 160W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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