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IRG4PC30W	文件：123.28 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：123.28 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：254.39 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：254.39 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30WPBF	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：255.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30WPBF_15	文件：255.35 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：255.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC30WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23A TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
12.0A
IC(@25°) max：
23.0A
ICpuls max：
92.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
2.1V
Eon ：
0.13mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.13mJ
td(on) ：
20.0ns
tr ：
13.0ns
td(off) ：
180.0ns
tf ：
140.0ns
QGate ：
100.0nC
Ets (max)：
0.26mJ (0.35mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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