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IRG4PC40W	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40WPBF	文件：619.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesignandc	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40WPBF	文件：620.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40WPBF_15	文件：620.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 160W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4PC40S-E	文件：395.49 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRG4PC40S-E	文件：1.2552 Mbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
G4PC40U	文件：148.01 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
G4PC40W	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40	文件：143 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40	文件：214.12 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40	文件：145.35 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40F	文件：145.35 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40FD	文件：214.12 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40FDPBF	文件：354.79 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40FDPBF	文件：348.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PC40FPBF	文件：269.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRG4PC40W
制造商：
International Rectifier
功能描述：
IGBT TO-247

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深圳市勤思达科技有限公司	IRG4PC40W	IR	13+	TO-247	10000	深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列,现货供应IRG4PC40W,全新原装,正品供应。	询价
深圳好佳好科技有限公司	IRG4PC40W	IR	1305+	TO-247	12000	公司特价原装现货	询价
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