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IRG4PC40W	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz (hard switched mode) • Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher • Low conduction losses and minimal minority-carrier recombinat 文件：116.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40WPBF	文件：619.79 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT design and c 文件：619.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40WPBF	文件：620.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：620.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40WPBF_15	文件：620.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：620.75 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC40WPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 160W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
20.0A
IC(@25°) max：
40.0A
ICpuls max：
160.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
2.05V
Eon ：
0.11mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.23mJ
td(on) ：
30.0ns
tr ：
19.0ns
td(off) ：
220.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
190.0nC
Ets (max)：
0.34mJ (0.45mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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