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IRG4PH20	文件：229.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiency	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20K	文件：229.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiency	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KD	文件：276.79 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.23558 Mbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：390.59 Kbytes Page：9 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF_15	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF_15	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 11A 60W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IRG4PH20
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IRG4PH20	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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深圳市昌和盛利电子有限公司	IRG4PH20KD	IR	23+	TO-3P	9896		询价
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更多IRG4PH20供应商更新时间2025-5-29 9:03:00

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