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IRG4PH20K	文件：229.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiency	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 11A 60W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH20KD	文件：276.79 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.23558 Mbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：390.59 Kbytes Page：9 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF_15	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KPBF_15	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 11A TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PH20K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.3V @ 15V，5A
开关能量：
450µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/93ns
测试条件：
960V，5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC

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