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IRG4PH20K	文件：229.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency 文件：229.85 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KD	文件：276.79 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT 文件：276.79 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.23558 Mbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT 文件：1.23558 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：390.59 Kbytes Page：9 Pages	Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous 文件：390.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KDPBF	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KDPBF_15	文件：1.2447 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：1.2447 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：391.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20KPBF_15	文件：391.55 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：391.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH20K	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH20K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 11A 60W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PH20K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.3V @ 15V，5A
开关能量：
450µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/93ns
测试条件：
960V，5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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