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IRG4PC60U	文件：123.65 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode. • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Industry standard TO-247AC package. Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest 文件：123.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60U-P	文件：123.16 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching and >200 kHz in resonant mode. • Application in UPS, Welding and High Current power supply. • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. • Solder plated ve 文件：123.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60UPBF	文件：236.22 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Features ◾ UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. ◾ Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. ◾ Industry standard TO-247AC package. ◾ Lead-Free Benefits ◾ Generation 4 IGBTs o 文件：236.22 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60U-PPBF	文件：235.88 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT Features ◾ UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 50 kHz in hard switching and >200kHz in resonant mode. ◾ Application in UPS, Welding and High Current power supply. ◾ Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency. ◾ Solder plated ver 文件：235.88 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60UPBF	文件：237.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：237.19 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60UPBF_15	文件：237.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：237.19 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC60U	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 8-60 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC60U-PPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC60UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 520W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC60U-PPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 520W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
40.0A
IC(@25°) max：
75.0A
ICpuls max：
300.0A
Ptot max：
520.0W
VCE(sat) ：
1.7V
Eon ：
0.28mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.1mJ
td(on) ：
36.0ns
tr ：
42.0ns
td(off) ：
300.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
310.0nC
Ets (max)：
1.3mJ (1.8mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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