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IRG4PC40F	文件：145.35 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Benefits • Gener 文件：145.35 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FD	文件：214.12 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-sof 文件：214.12 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FDPBF	文件：354.79 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：354.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FPBF	文件：268.23 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package • Lead-Free Benefit 文件：268.23 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FDPBF	文件：348.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：348.19 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FDPBF_15	文件：348.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：348.19 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FPBF	文件：269.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：269.19 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40FPBF_15	文件：269.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：269.19 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC40F
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，27A
开关能量：
370µJ（开），1.81mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/240ns
测试条件：
480V，27A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 49A 160W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRG4PC40F供应商更新时间2025-10-4 14:10:00

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