IRG4PF50W说明书PDF资料批发供应无锡固电-114ic电子网

首页 >IRG4PF50W>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRG4PF50W	文件：138.73 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz • Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher • 文件：138.73 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50W	文件：328.13 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries 文件：328.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PF50WD	文件：253.08 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct 文件：253.08 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WDPBF	文件：628.28 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct 文件：628.28 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WPBF	文件：644.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz • Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher • Reduction in 文件：644.27 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WDPBF	文件：637.39 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：637.39 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WDPBF_15	文件：637.39 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：637.39 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WPBF	文件：654.43 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：654.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50WPBF_15	文件：654.43 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：654.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PF50W	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V Warp 20-100 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
900.0V
IC(@100°) max：
28.0A
IC(@25°) max：
51.0A
ICpuls max：
300.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
2.25V
Eon ：
0.19mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.06mJ
td(on) ：
36.0ns
tr ：
42.0ns
td(off) ：
300.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
28.0nC
Ets (max)：
1.25mJ (1.7mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
900.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市向鸿伟业电子有限公司	IRG4PF50W	IR	2410+	TO-247	59000	原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	IRG4PF50W	IR	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	IRG4PF50W	IR	25+	TO-247AC	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4PF50W	IR	15+	TO-247	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRG4PF50W	IR	06+	TO-247	2000	自己公司全新库存绝对有货	询价
深圳市利加科技有限公司	IRG4PF50W	IR	16+	TO-3P	10000	全新原装现货	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	IRG4PF50W	IR	13+	TO-247	2708	原装分销	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	IRG4PF50W		25+	PLCC-44	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRG4PF50W	IR	24+	原厂封装	1250	原装现货假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRG4PF50W	IR	25+	TO-247	26	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多IRG4PF50W供应商更新时间2025-10-13 16:12:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号