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IRG4PF50W

900V Warp 20-100 kHz 分立 IGBT,采用 TO-247AC 封装

Infineon

英飞凌

IRG4PF50WD

900V Warp 20-100 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

900V IGBT 与20-100 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 经过优化,适合在焊接和开关模式电源应用中使用\n• 行业基准开关损耗,提高所有电源拓扑结构的效率\n• 令关断损耗(Eoff)参数值降低 50%\n• 低 IGBT 通态损耗\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布,具有优秀的可靠性\n• 与 HEXFREDTM 联合封装的 IGBT,在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-247AC 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• 开关损耗更低意味着工作性价比的提升,可以替代功率高达 100kHz的大模 MOSFET\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

IRG4PF50WD-201P

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WDPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max:

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package :

    TO-247

  • Voltage Class max:

    900.0V

  • IC(@100°) max:

    28.0A

  • IC(@25°) max:

    51.0A

  • ICpuls max:

    300.0A

  • Ptot max:

    200.0W

  • VCE(sat) :

    2.25V 

  • Eon :

    0.19mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    1.06mJ 

  • td(on) :

    36.0ns 

  • tr :

    42.0ns 

  • td(off) :

    300.0ns 

  • tf :

    160.0ns 

  • QGate :

    28.0nC 

  • Ets  (max):

    1.25mJ (1.7mJ)

  • Switching Frequency :

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max:

    900.0V

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