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IRG4IBC30W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • 2.5kV, 60s insulation voltage • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • La

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IRF

IRG4IBC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • 2.5kV, 60s insulation voltage • ndustry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction

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IRG4IBC30WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4IBC30WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4IBC30W

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌

IRG4IBC30WPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 17A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30W

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    130µJ(开),130µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/99ns

  • 测试条件:

    480V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-FP

  • 描述:

    IGBT 600V 17A 45W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
2021+
TO-220F
9000
原装现货,随时欢迎询价
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24+
TO 220F
161521
明嘉莱只做原装正品现货
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24+
原厂封装
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原装现货假一罚十
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24+
N/A
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TO-220F
30000
代理全新原装现货,价格优势
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24+
65230
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TO220
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22+
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21+
TO-220F
10000
原装现货假一罚十
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