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IRG4PC30FD	文件：210.35 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) Fast CoPack IGBT Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-sof 文件：210.35 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF	文件：384.56 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.59V @VGE = 15V, IC = 17A Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packa 文件：384.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF	文件：385.52 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：385.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FDPBF_15	文件：385.52 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：385.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 快速 1-8 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC30FDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 31A 100W TO247AC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
1.0kHz 8.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
17.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
120.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
1.59V
Eon ：
0.63mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.39mJ
td(on) ：
42.0ns
tr ：
26.0ns
td(off) ：
230.0ns
tf ：
160.0ns
QGate ：
51.0nC
IF max：
120.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
3.5A
Ets (max)：
2.02mJ (3.9mJ)
VCE max：
600.0V

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