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IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30SPBF	文件：197.92 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF_15	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4IBC30UD	文件：227.86 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighter	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：324.48 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：322.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighte	IRF International Rectifier	IRF
IRG4IBC30W	文件：160.5 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •La	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4IBC30S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.6V @ 15V，18A
开关能量：
260µJ（开），3.45mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/540ns
测试条件：
480V，18A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220AB 整包
描述：
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

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