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IRG4IBC30S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4IBC30SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating freqencies (

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IRF

IRG4IBC30SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4IBC30SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4IBC30S

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package

Infineon

英飞凌

IRG4IBC30S

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌

IRG4IBC30SPBF

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4IBC30S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,18A

  • 开关能量:

    260µJ(开),3.45mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/540ns

  • 测试条件:

    480V,18A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP

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更多IRG4IBC30S供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00